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我們現(xiàn)在已經(jīng)介紹了體積全像圖模型的基礎(chǔ)知識(shí)。要了解有關(guān)如何在 OpticStudio 中應(yīng)用該理論、如何設(shè)置序列和非序列系統(tǒng)以及下載範(fàn)例系統(tǒng)的更多信息，您可以在此處取得本知識(shí)庫(kù)文章的全部?jī)?nèi)容。Ansys Zemax國(guó)內(nèi)可靠代理商　　光研科技南京有限公司是國(guó)內(nèi)可靠的光學(xué)軟件和儀器光電供應(yīng)商，提供企業(yè)定制化上門(mén)培訓(xùn)服務(wù)，承接各類(lèi)光學(xué)設(shè)計(jì)項(xiàng)目，并有一系列自主編寫(xiě)出版的光學(xué)設(shè)計(jì)書(shū)籍。

該模型的輸入是階數(shù) p 和度數(shù) m、束腰 (w0)、光束的半焦距 (f0) 和光束極性（0 = 偶數(shù)；1 = 奇數(shù)）；最後一個(gè)輸入決定了光束是由偶數(shù)還是奇數(shù) Ince 多項(xiàng)式描述的。 Bandres 和 Gutiérrez-Vega 的論文中提供了上述每個(gè)輸入的完整描述。 2 列出了一些未使用的輸入，以便該模型的輸入表結(jié)構(gòu)與 OpticStudio 中內(nèi)置的高斯腰模型的結(jié)構(gòu)相匹配。

什麼是Field以及Ray係數(shù)常常使用者在這個(gè)主題上會(huì)有一些混亂，因?yàn)楸∧?em>理論以及相關(guān)的設(shè)計(jì)軟體程式，通常以不同的觀(guān)點(diǎn)來(lái)處理這個(gè)問(wèn)題，而這個(gè)觀(guān)點(diǎn)與光線(xiàn)追跡的程式有很大的不同。在薄膜光學(xué)中，我們通常處理光的場(chǎng) (field)，一般來(lái)說(shuō)即是所謂的平面波。然而，光線(xiàn)的處理方式在本質(zhì)上有很大不同，光線(xiàn)是局部的、無(wú)限小的且?guī)в心芰康囊稽c(diǎn)，擁有位置以及傳播方向等資訊。光線(xiàn)所看到的世界與薄膜的世界是不同的。

沒(méi)有通用的方法可以處理所有情況。設(shè)計(jì)人員需要根據(jù)具體情況決定其系統(tǒng)的策略。許多設(shè)計(jì)過(guò)程需要兩種不同的光學(xué)理論/算法來(lái)分別處理光束在自由空間和微結(jié)構(gòu)中的傳播，而其他一些過(guò)程僅使用純光線(xiàn)追跡來(lái)達(dá)到目標(biāo)。由於模擬技術(shù)發(fā)展迅速，因此本文可能沒(méi)有涵蓋所有可用方法。如果用戶(hù)提供新訊息或有任何要求，請(qǐng)隨時(shí)與我們聯(lián)繫，我們可以相應(yīng)地更新本文。

這篇文章討論了複眼空間光學(xué)積分器在數(shù)位投影機(jī)中的使用，以及如何在 OpticStudio 中對(duì)此類(lèi)元素進(jìn)行建模。在數(shù)位投影器設(shè)計(jì)中，我們希望確保數(shù)位光源在輻照度分佈方面與投影圖像相匹配。因此，這種限制要求投影器設(shè)計(jì)包含均勻照明的空間光調(diào)製器 - 通常採(cǎi)用 LCD 面板的形式。理論上，這聽(tīng)起來(lái)很容易，但這種面板上的源光束通常是高斯的（即不均勻）。

大多數(shù)都有多個(gè)相機(jī)單元，這對(duì)設(shè)計(jì)師和製造商提出了挑戰(zhàn)，以滿(mǎn)足嚴(yán)格的性能、成本和尺寸要求。在這篇Blog中，我們將討論 Zemax 解決方案如何幫助應(yīng)對(duì)和克服這些挑戰(zhàn)。智慧型手機(jī)鏡頭模組用於智慧型手機(jī)相機(jī)的鏡頭模組非常複雜，每個(gè)模組都包含多個(gè)鏡頭元件。追求更好的成像性能，加上需要模組盡可能小以增強(qiáng)手機(jī)的美感，需要復(fù)雜的設(shè)計(jì)形式。透鏡的形狀通常是高度非球面的。

在Layout中我們可以看到一個(gè)傳統(tǒng)的眼科半月形鏡片，這個(gè)基本曲線(xiàn)是個(gè)常見(jiàn)的形狀。然而，這個(gè)結(jié)論是根據(jù)我們的設(shè)計(jì)流程而來(lái)的，基於平面入射波、視場(chǎng)角與其權(quán)重、透鏡與眼睛旋轉(zhuǎn)中心的距離、一些像差的忽略 (尤其是對(duì)畸變的忽略)，以及其他更多的假設(shè)。在一般的認(rèn)知中，以上的方法並不能產(chǎn)生具有“最佳形態(tài)”或是“校正曲線(xiàn)”的透鏡，意思是無(wú)法製造出能完美修正像差，同時(shí)又可配合所有鏡片屈光率的微小基本曲線(xiàn)半徑。

實(shí)體塑件會(huì)輸送至塑料輸送段。隨著螺桿的動(dòng)作及從料管加熱，當(dāng)從塑料輸送段移至計(jì)量段時(shí)，會(huì)傳輸並逐漸熔化塑料。熔化塑件的主要驅(qū)動(dòng)力是在整個(gè)塑化製程中塑件的電熱與黏滯加熱。此製程的輸出是螺桿特性與模具特性之間平衡的結(jié)果（在螺桿尾端）。ScrewPlus 是一個(gè)強(qiáng)大的工具，可模擬經(jīng)過(guò)實(shí)體輸送（塑料輸送段）、熔化（過(guò)渡段）及泵取（計(jì)量段）從實(shí)體狀態(tài)到熔化狀態(tài)的整個(gè)塑化製程。

2 單鍵優(yōu)先判斷輸出方式處理, 如果 K1 已經(jīng)承認(rèn)了, 需要等 K1 放開(kāi)後, 其他按 鍵才能再被承認(rèn)，同時(shí)間只有一個(gè)按鍵狀態(tài)會(huì)被輸出。 3 具有防呆措施, 若是按鍵有效輸出連續(xù)超過(guò) 10 秒, 就會(huì)做復(fù)位。 4 環(huán)境調(diào)適功能，可隨環(huán)境的溫濕度變化調(diào)整參考值，確保按鍵判斷工作正常。 5 可分辨水與手指的差異，對(duì)水漫與水珠覆蓋按鍵觸摸盤(pán)，仍可正確判斷按鍵動(dòng) 作。

以 DVD 光碟機(jī)的內(nèi)部機(jī)構(gòu)件為例，除了平整度的要求外，由於原始設(shè)計(jì)的流道重於成品體積(20g：16g)，而客戶(hù)要求 Tokyo Seiki 減輕流道重量，經(jīng)過(guò)五次的變更設(shè)計(jì)分析，流動(dòng)指數(shù)的比較為 88%：99%，流道與成品體積比較為 10g：16g。

解理斷裂是沿特定的晶面發(fā)生的脆性穿晶斷裂，通常總沿一定的晶面分離。解理斷裂總是脆性斷裂，但脆性斷裂不一定是解理斷裂。常見(jiàn)的裂紋形成理論：①位錯(cuò)塞積理論②位錯(cuò)反應(yīng)理論解理與準(zhǔn)解理共同點(diǎn)：穿晶斷裂；有小解理刻面；臺(tái)階及河流花樣不同點(diǎn)：①準(zhǔn)解理小刻面不是晶體學(xué)解理面②解理裂紋常源于晶界，準(zhǔn)解理裂紋常源于晶內(nèi)硬質(zhì)點(diǎn)。準(zhǔn)解理不是一種獨(dú)立的斷裂機(jī)理，而是解理斷裂的變種。

解理斷裂是沿特定的晶面發(fā)生的脆性穿晶斷裂，通常總沿一定的晶面分離。解理斷裂總是脆性斷裂，但脆性斷裂不一定是解理斷裂。常見(jiàn)的裂紋形成理論：①位錯(cuò)塞積理論②位錯(cuò)反應(yīng)理論解理與準(zhǔn)解理共同點(diǎn)：穿晶斷裂；有小解理刻面；臺(tái)階及河流花樣不同點(diǎn)：①準(zhǔn)解理小刻面不是晶體學(xué)解理面②解理裂紋常源于晶界，準(zhǔn)解理裂紋常源于晶內(nèi)硬質(zhì)點(diǎn)。準(zhǔn)解理不是一種獨(dú)立的斷裂機(jī)理，而是解理斷裂的變種。

有關(guān)自訂分析的更多資訊，請(qǐng)點(diǎn)擊程式設(shè)計(jì)(Programming)選項(xiàng)卡>關(guān)於ZOS-API (About the ZOS-API) >自訂分析 (User Analysis)，查看內(nèi)置幫助檔。打開(kāi)新的程式設(shè)計(jì)範(fàn)本使用C#創(chuàng)建自訂分析：用戶(hù)分析使用Windows資源管理器打開(kāi)解決方案資料夾‘..

.，20082006）和微柱壓縮（Raabe，Ma和Roters，2007a）的研究中，則局部模型可能由于無(wú)法描述尺寸效應(yīng)而不足，較小晶粒尺寸的強(qiáng)化效應(yīng)是由于晶界附近非均勻塑性變形的體積分?jǐn)?shù)較高。文獻(xiàn)中有幾種基于位錯(cuò)機(jī)制的解釋?zhuān)缇?em>界前移動(dòng)位錯(cuò)的堆積，導(dǎo)致應(yīng)力集中，從而增加晶界附近的滑移阻力或應(yīng)變梯度，從而產(chǎn)生額外的位錯(cuò)密度增量，從而增加滑移阻力（Evers等人，2002）。

.，20082006）和微柱壓縮（Raabe，Ma和Roters，2007a）的研究中，則局部模型可能由于無(wú)法描述尺寸效應(yīng)而不足，較小晶粒尺寸的強(qiáng)化效應(yīng)是由于晶界附近非均勻塑性變形的體積分?jǐn)?shù)較高。文獻(xiàn)中有幾種基于位錯(cuò)機(jī)制的解釋?zhuān)缇?em>界前移動(dòng)位錯(cuò)的堆積，導(dǎo)致應(yīng)力集中，從而增加晶界附近的滑移阻力或應(yīng)變梯度，從而產(chǎn)生額外的位錯(cuò)密度增量，從而增加滑移阻力（Evers等人，2002）。

我們可以作者提出的模型完整的構(gòu)建一個(gè)考慮晶界多尺度模型，演示如何計(jì)算每個(gè)滑移系對(duì)應(yīng)的晶界通透系數(shù)，并將其轉(zhuǎn)化為晶界障礙應(yīng)力引入晶體塑性本構(gòu)中。通過(guò)對(duì)比是否考慮晶界障礙項(xiàng)，可以觀(guān)察晶界附近滑移活動(dòng)、位錯(cuò)密度分布以及應(yīng)變局部化特征的變化。